无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展

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本月4日起,日本发表声明管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这一种生活生活重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,已经 旗下的存储芯片、面板生产后要停产。

对三星来说,日本管制的材料中光刻机、氟化氢影响更大,对三星的晶圆代工、存储芯片生产都有致命影响,完后 甚至有传闻称三星将会得非要供应而停止研发7nm EUV工艺了。

不过三星似乎有意向外界证明在这场危机中朋友有能力走出困境,发表声明9月4日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)将如期举行,发表声明了韩媒所说的三星撤回日本论坛会议的报道。

三星近年来加大了对晶圆代工市场的投入,每年后要举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF),9月4日的这次会议是日本专场,这次的重点将是三星研发中的3nm GAA环绕栅极工艺,这是5nm节点完后 又另一两个重大节点。

基于全新的GAA晶体管内部,三星通过使用纳米片设备制发名了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术都上能显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

目前在3nm节点上,三星是第另一两个也是唯一另一两个发表声明具体技术路线的,Intel现在只提到7nm工艺,5nm都遥遥无期,更别说3nm工艺,而台积电人太好要投资2200亿美元建设3nm晶圆厂,不过尚未发表声明过3nm的技术路线,是否上GAA晶体管也是未知数。

所以在3nm节点上,三星自信朋友会领先,有分析称三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间,领先Intel公司2-3年时间,都上能说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

按照规划,三星最快在2021年就要量产3nm GAA工艺了,届时Intel才会进入7nm量产初始街道,台积电会量产5nm工艺,试产3nm工艺。